[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010406654.X | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN112563138A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林大钧;潘国华;廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在此提供一种半导体装置的形成方法。此方法包括在基板上的第一区域及第二区域内沉积半导体堆叠，其中半导体堆叠具有交替排列的第一类型的半导体材料层与第二类型的半导体层。此方法亦包括从第二区域移除半导体堆叠的一部分以形成沟槽，并且通过外延成长工艺将第二类型的半导体材料填充于沟槽中。此方法亦包括图案化位于第一区域内的半导体堆叠以形成纳米结构堆叠，图案化位于第二区域内的第二类型的半导体材料以形成鳍片结构，以及在纳米结构堆叠与鳍片结构两者上形成栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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