[发明专利]成膜方法在审
| 申请号： | 202010401197.5 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111962045A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 千叶贵司;佐藤润 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及成膜方法。提供能够抑制基板的氧化并成膜膜质良好的硅氧化膜的技术。其具有第1工序和在第1工序后进行的第2工序，第1工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第1改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第2工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第2改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第1改性气体的使基板氧化的作用小于第2改性气体的使基板氧化的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
