[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其中，

该成膜方法具有第1工序和在所述第1工序之后进行的第2工序，

该第1工序重复以下步骤：

使氨基硅烷气体吸附于基板之上；

向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及

利用等离子体使第1改性气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理，

该第2工序重复以下步骤：

使氨基硅烷气体吸附于所述基板之上；

向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及

利用等离子体使第2改性气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理，

所述第1改性气体为使所述基板氧化的作用小于所述第2改性气体的使所述基板氧化的作用的气体。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

所述第1改性气体含有氩，

所述第2改性气体含有氦。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，

所述第1改性气体和所述第2改性气体含有氧。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其中，

所述第1工序中的使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤以及进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤的重复次数少于所述第2工序中的使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤以及进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤的重复次数。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜方法，其中，

在所述基板的表面形成有凹部。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，

重复所述第2工序中的使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤以及进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤，直到在所述凹部填充有所述硅氧化膜为止。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的成膜方法，其中，

所述第1工序和第2工序不使所述基板暴露于大气地连续进行。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的成膜方法，其中，

在使所述氨基硅烷气体吸附的步骤与使所述硅氧化膜堆积的步骤之间、以及在进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤与使所述氨基硅烷气体吸附的工序之间分别设有向所述基板供给第1吹扫气体和第2吹扫气体的步骤。

9.根据权利要求8所述的成膜方法，其中，

所述基板沿着设于真空容器内的旋转台上的周向配置，

在所述真空容器内的所述旋转台的上方沿着所述旋转台的旋转方向设有氨基硅烷气体吸附区域、第1分离区域、氧化气体供给区域、等离子体处理区域、第2分离区域，通过使所述旋转台旋转从而重复所述第1工序和所述第2工序中的使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、供给所述第1吹扫气体的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤、进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤以及供给所述第2吹扫气体的步骤。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的成膜方法，其中，

在所述基板的表面预先形成有由氮化硅膜形成的底膜。