[发明专利]成膜方法

说明书

本发明涉及成膜方法。提供能够抑制基板的氧化并成膜膜质良好的硅氧化膜的技术。其具有第1工序和在第1工序后进行的第2工序，第1工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第1改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第2工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第2改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第1改性气体的使基板氧化的作用小于第2改性气体的使基板氧化的作用。

技术领域

本公开涉及一种成膜方法。

背景技术

公知有一种通过相对于形成在基板的凹部交替地供给互相反应的第1反应气体和第2反应气体，从而在凹部使第1反应气体与第2反应气体的反应产物成膜的方法(例如参照专利文献1)。在该方法中，在供给第1反应气体之前，进行使羟基以期望的分布吸附于形成在基板的凹部的内表面的步骤。另外，作为使羟基以期望的分布吸附的一个例子，记载有如下例子：在使羟基吸附的步骤中，将基板暴露于由包含含氢气体的气体生成的氧等离子体，来补充不足的羟基。

专利文献1：日本特开2013－135154号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够在基板上抑制基板的氧化并且成膜膜质良好的硅氧化膜的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的成膜方法具有第1工序和在所述第1工序之后进行的第2工序，该第1工序重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板之上；向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及利用等离子体使第1改性气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理，该第2工序重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于所述基板之上；向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及利用等离子体使第2改性气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理，所述第1改性气体为使所述基板氧化的作用小于所述第2改性气体的使所述基板氧化的作用的气体。

发明的效果

根据本公开，能够抑制基板的氧化并且成膜膜质良好的硅氧化膜。

附图说明

图1是表示一实施方式的成膜装置的结构例的剖视图。

图2是表示图1的成膜装置的真空容器内的结构的立体图。

图3是表示图1的成膜装置的真空容器内的结构的俯视图。

图4是沿着以能够旋转的方式设于图1的成膜装置的真空容器内的旋转台的同心圆剖切的该真空容器的剖视图。

图5是图1的成膜装置的另一剖视图。

图6是设于图1的成膜装置的等离子体产生源的剖视图。

图7是设于图1的成膜装置的等离子体产生源的另一剖视图。

图8是设于图1的成膜装置的等离子体产生源的俯视图。

图9是表示一实施方式的成膜方法的流程图。

图10是用于说明一实施方式的成膜方法的第1工序的图。

图11是用于说明一实施方式的成膜方法的第2工序的图。

图12是用于说明晶圆氧化量的评价方法的图。