[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备在审
| 申请号： | 202010398871.9 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111710717A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;李俊杰;程晓红;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过在堆叠结构与衬底之间形成隔离层，以抑制寄生沟道及源漏漏电，无须使用成本较高的绝缘体上硅衬底，降低了半导体器件的制作成本。所述半导体器件包括：衬底、隔离层、堆叠结构和栅堆叠结构。隔离层形成在衬底上。堆叠结构形成在隔离层上。堆叠结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的至少一层纳米线或片。至少一层纳米线或片分别与源区和漏区接触。隔离层覆盖衬底的面积小于或等于堆叠结构覆盖衬底的面积。栅堆叠结构形成在至少一层纳米线或片的外周。所述半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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