[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 202010396665.4 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111952217A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 西原一树;鳅场真树 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能提高基板的面内蚀刻的均匀性的基板处理装置。基板处理装置(1)是利用气相对基板(W1)的表面进行蚀刻的装置。基板处理装置(1)具备腔室(10)、加热载置部(30)、气体导入部(40)、排气部(50)、以及第一加热部(60)。加热载置部(30)在腔室(10)内加热并载置基板(W1)。气体导入部(40)具有在腔室(10)内设于与基板(W1)对置的位置的导入口(41a)，从导入口(41a)向腔室(10)内导入蚀刻气体。排气部(50)经由形成于腔室(10)的第一排气口(12a)而排出腔室(10)内的气体。第一加热部(60)安装于腔室(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
