[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种能提高基板的面内蚀刻的均匀性的基板处理装置。基板处理装置(1)是利用气相对基板(W1)的表面进行蚀刻的装置。基板处理装置(1)具备腔室(10)、加热载置部(30)、气体导入部(40)、排气部(50)、以及第一加热部(60)。加热载置部(30)在腔室(10)内加热并载置基板(W1)。气体导入部(40)具有在腔室(10)内设于与基板(W1)对置的位置的导入口(41a)，从导入口(41a)向腔室(10)内导入蚀刻气体。排气部(50)经由形成于腔室(10)的第一排气口(12a)而排出腔室(10)内的气体。第一加热部(60)安装于腔室(10)。

技术领域

本申请涉及一种基板处理装置。

背景技术

一直以来，作为对基板进行蚀刻的蚀刻装置，提出了一种向基板供给药液的装置。若蚀刻装置向基板供给药液，则药液能够作用于基板来对蚀刻对象膜进行蚀刻。然而，若基板的图案微细，则药液无法充分地进入到其狭小区域。其结果，有蚀刻变得不充分的问题。

因此，提出了一种不使用药液的气相蚀刻装置(例如专利文献1)。该气相蚀刻装置使用处理气体来对基板进行蚀刻。气相蚀刻装置包括腔室和气体输送装置。在腔室内载置有成为蚀刻的对象的基板。气体输送装置从腔室内的上侧向基板供给处理气体。处理气体作用于基板，来对基板进行蚀刻。由于处理气体是气体，所以能够进入到基板的狭小区域。

并且，在该气相蚀刻装置中，由于未利用等离子体，所以能够减少制造成本。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-45125号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1的气相蚀刻装置中，考虑加热基板。由此，能够促进利用处理气体(以下称作蚀刻气体)进行的基板的蚀刻。

然而，通过加热基板，基板的温度比腔室的内周面的温度高。由于气体因对流而容易向温度较低的一方流动，所以基板的周缘部附近的气体容易向腔室的内周面流动。由此，基板的周缘部处的蚀刻量减少。也就是说，基板的面内蚀刻的均匀性降低。

因此，本申请的目的在于提供一种能够提高基板的面内蚀刻的均匀性的基板处理装置。

用于解决课题的方案

基板处理装置的第一方案是一种基板处理装置，是利用气相对基板的表面进行蚀刻的基板处理装置，具备：腔室；加热载置部，其在上述腔室内，加热并载置上述基板；气体导入部，其具有在上述腔室内设于与上述基板对置的位置的导入口，并从上述导入口向上述腔室内导入蚀刻气体；排气部，其经由形成于上述腔室的第一排气口向外部排出上述腔室内的气体；以及第一加热部，其安装于上述腔室。

基板处理装置的第二方案在第一方案的基板处理装置的基础上，上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至上述基板的表面的温度以上。

基板处理装置的第三方案在第二方案的基板处理装置的基础上，上述第一加热部以使上述腔室的内周面的温度升温至比上述基板的表面的温度高30度以上的值的方式加热上述腔室。

基板处理装置的第四方案在第一至第三任一个方案的基板处理装置的基础上，上述加热载置部使上述基板的温度升温至50度以上且200度以下，上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至80度以上且230度以下。

基板处理装置的第五方案在第一至第四任一个方案的基板处理装置的基础上，上述第一加热部安装于上述腔室的侧壁中至少在水平方向上与上述基板对置的区域。