[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，是利用气相对基板的表面进行蚀刻的基板处理装置，其特征在于，具备：

腔室；

加热载置部，其在上述腔室内，加热并载置上述基板；

气体导入部，其具有在上述腔室内设于与上述基板对置的位置的导入口，并从上述导入口向上述腔室内导入蚀刻气体；

排气部，其经由形成于上述腔室的第一排气口向外部排出上述腔室内的气体；以及

第一加热部，其安装于上述腔室。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至上述基板的表面的温度以上。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一加热部以使上述腔室的内周面的温度升温至比上述基板的表面的温度高30度以上的值的方式加热上述腔室。

4.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置，其特征在于，

上述加热载置部使上述基板的温度升温至50度以上且200度以下，

上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至80度以上且230度以下。

5.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一加热部安装于上述腔室的侧壁中至少在水平方向上与上述基板对置的区域。

6.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：

外腔室，其包围上述腔室；以及

第二加热部，其安装于上述外腔室，

上述腔室的上述第一排气口使上述腔室的内部空间以及上述腔室与上述外腔室之间的外侧空间相互相连，

在上述外腔室形成有第二排气口，

上述排气部经由上述第二排气口向外部排出上述外腔室内的气体。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第二加热部使上述外腔室的内周面的温度升温至上述腔室的内周面的温度以上。

8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第二加热部使上述外腔室的内周面的温度升温至100度以上。

9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，具备：

第一压力传感器，其设于上述腔室内；

第二压力传感器，其设于上述腔室与上述外腔室之间；以及

控制部，其基于上述第一压力传感器及上述第二压力传感器的测定值，来控制上述排气部的排气流量。

10.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置，其特征在于，

还具备整流部，该整流部设于上述导入口与上述基板之间，对从上述导入口导入的上述蚀刻气体进行整流。

11.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一排气口设有多个，

该多个第一排气口在上述基板的周向上大致等间隔地形成。