[发明专利]具有低泄漏特性器件的动态存储器及阵列电路有效
| 申请号： | 202010392133.3 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111627476B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李学清;钟宏涛;杨华中;曹胜杰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 石茵汀 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低泄漏特性器件的动态存储器及阵列电路，其中，动态存储器包括：写操作模块包括控制端、输入端和输出端，写操作模块由具有低泄漏特性的纳米机电继电器组成，以利用其低泄漏特点延长动态存储器的保持时间。写操作模块与信息存储模块的写操作端连接，用于对信息存储模块所存储的信息进行写操作；读操作模块包括控制端、输入端和输出端，读操作模块与信息存储模块的读操作端连接，用于对信息存储模块内的状态信息进行读操作；信息存储模块包括写操作端和读操作端。由此，提高了动态存储器的数据无损保持时间，从而降低了动态存储器的刷新功耗，是一类漏电小、功耗低的动态存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 泄漏 特性 器件 动态 存储器 阵列 电路 | ||
【主权项】：
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