[发明专利]一种二维半导体器件电路一体化制备的方法

摘要

本发明提供一种二维半导体器件电路一体化制备的方法，属于属于半导体器件制备技术领域。本发明创新性的通过引入金属牺牲层和high‑k材料，先在金属牺牲层上将金属图形化电极和介电层制备成一体化结构，再将该结构剥离，利用“后位”转移技术将一体化结构转移至二维材料表面，构成器件整体结构，该方法有效的降低了二维半导体器件中的界面散射，以及化学掺杂、费米钉扎效应，实现了对二维材料的迁移率、器件的开关比、亚阈值摆幅的同步优化，并且该方法制备简单、洁净、破坏性小、稳定性高。