[发明专利]NAND闪存的制作方法在审
| 申请号： | 202010345512.7 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111415936A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;巨晓华;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11517;H01L27/11563;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NAND闪存的制作方法，首先在所述衬底上形成栅极材料层，然后依次刻蚀所述栅极材料层和所述衬底，形成栅极和隔离沟槽，接着在所述隔离沟槽中填充隔离材料，形成隔离结构；之后对所述衬底进行p型离子注入。本发明在形成隔离结构后，通过P型离子注入，提高有源区边缘顶角位置处的P型离子的掺杂浓度，补充沟槽隔离工艺中P型离子的损失，改善双峰效应，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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