[发明专利]NAND闪存的制作方法

说明书

本发明提供一种NAND闪存的制作方法，首先在所述衬底上形成栅极材料层，然后依次刻蚀所述栅极材料层和所述衬底，形成栅极和隔离沟槽，接着在所述隔离沟槽中填充隔离材料，形成隔离结构；之后对所述衬底进行p型离子注入。本发明在形成隔离结构后，通过P型离子注入，提高有源区边缘顶角位置处的P型离子的掺杂浓度，补充沟槽隔离工艺中P型离子的损失，改善双峰效应，提高器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种NAND闪存的制作方法。

背景技术

NAND闪存(NAND flash)是一种非易失闪存，主要功能是存储资料， 具较高的存储单元密度，写入和擦除速度快，同时NAND闪存的存储单元 尺寸几乎是NOR闪存的存储单元尺寸的一半，可以在给定的模具尺寸内提 供更高的容量，所以广泛的应用于数据中心、个人电脑、手机、智能终 端、消费电子等各个领域，而且仍然呈现需求不断增长的局面。

现有NAND闪存制程中，一般采用浅沟槽隔离(STI)工艺定义出有源 区(AA)，特别是对于NAND闪存中高压NMOS器件的制备，由于受到浅 沟槽隔离结构的影响，衬底P阱(PWell)区中掺杂的硼(B)容易在有源 区的边缘析出，有源区的边缘位置处的P型离子掺杂浓度要小于有源区中间 区域的硼离子掺杂浓度，使最终形成的NMOS器件存在双峰效应。由于双 峰效应的产生会使NAND flash器件出现明显的漏电现象，进而直接导致器 件失效，因此双峰现象在晶体管的工艺要求上应尽量避免。

发明内容

本发明的目的在于提供一种NAND闪存的制作方法，以改善双峰效应， 提高器件的性能。

为达到上述目的，本发明提供一种NAND闪存的制作方法，包括：

提供衬底，并在所述衬底上形成栅极材料层；

依次刻蚀所述栅极材料层和所述衬底，形成栅极和隔离沟槽；

在所述隔离沟槽中填充隔离材料，形成隔离结构；以及，

对所述衬底进行p型离子注入。

可选的，所述p型离子为硼离子。

可选的，注入所述硼离子的能量为100Kev～20Kev，注入所述硼离子 的剂量为1E15/cm²～1E16/cm²。

可选的，所述p型离子的注入角度为10℃～65℃。

可选的，所述隔离材料覆盖部分厚度的所述栅极。

可选的，在所述隔离沟槽中填充隔离材料包括：

在所述隔离沟槽中填充隔离材料，所述隔离材料覆盖所述栅极；

对所述隔离材料进行回刻，以暴露出部分厚度的所述栅极。

可选的，在所述衬底上形成栅极材料层之前包括：在所述衬底上形成 氧化层。

可选的，所述隔离材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。

可选的，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。

可选的，所述栅极的材质为多晶硅。

综上，本发明提供的NAND闪存的制作方法，首先在所述衬底上形成 栅极材料层，然后依次刻蚀所述栅极材料层和所述衬底，形成栅极和隔离 沟槽，接着在所述隔离沟槽中填充隔离材料，形成隔离结构；之后对所述 衬底进行p型离子注入。本发明在形成隔离结构后，通过P型离子注入， 提高有源区边缘顶角位置处的P型离子的掺杂浓度，补充沟槽隔离工艺中 P型离子的损失，改善双峰效应，提高器件的性能。

附图说明

图1A至图1E为一种NAND闪存的制作方法所对应的各步骤的结构示 意图；