[发明专利]NAND闪存的制作方法在审
| 申请号： | 202010345512.7 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111415936A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;巨晓华;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11517;H01L27/11563;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nand 闪存 制作方法 | ||
1.一种NAND闪存的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，并在所述衬底上形成栅极材料层；
依次刻蚀所述栅极材料层和所述衬底，形成栅极和隔离沟槽；
在所述隔离沟槽中填充隔离材料，形成隔离结构；以及，
对所述衬底进行p型离子注入。
2.根据权利要求1所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，所述p型离子为硼离子。
3.根据权利要求2所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，注入所述硼离子的能量为100Kev～20Kev，注入所述硼离子的剂量为1E15/cm2～1E16/cm2。
4.根据权利要求2所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，所述p型离子的注入角度为10°～65°。
5.根据权利要求1所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，所述隔离材料覆盖部分厚度的所述栅极。
6.根据权利要求5所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，在所述隔离沟槽中填充隔离材料包括：
在所述隔离沟槽中填充隔离材料，所述隔离材料覆盖所述栅极；
对所述隔离材料进行回刻，以暴露出部分厚度的所述栅极。
7.根据权利要求1所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成栅极材料层之前包括：在所述衬底上形成氧化层。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，所述隔离材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，所述栅极的材质为多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
