[发明专利]NMOS器件的制备方法有效
| 申请号： | 202010345511.2 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111370313B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 梁启超;蔡彬;章晶;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NMOS制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构和介质层，所述栅极结构覆盖部分衬底，所述介质层覆盖所述栅极结构和所述衬底。在介质层上形成应力层，与现有工艺中在两道侧墙完成之后沉积应力层相比，所述应力层与沟道之间距离缩短了，从而减少应力传递过程中的损失，增加了沟道的电子迁移率。然后，去除部分所述应力层，并使部分所述介质层裸露且剩余的所述应力层覆盖所述栅极结构的侧壁。以剩余的所述应力层作为掩膜，对所述衬底执行LDD离子注入工艺，再去除剩余的所述应力层。故所述NMOS器件的制备方法不仅能够提高电子的迁移率，还减少工艺流程，降低成本，提高制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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