[发明专利]NMOS器件的制备方法有效
| 申请号： | 202010345511.2 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111370313B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 梁启超;蔡彬;章晶;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nmos 器件 制备 方法 | ||
1.一种NMOS器件的制备方法，其特征在于，所述NMOS器件的制备方法包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构和介质层，所述栅极结构覆盖部分所述衬底，所述介质层覆盖所述栅极结构和所述衬底；
在所述介质层上形成应力层；
去除部分所述应力层，并使部分所述介质层裸露且剩余的所述应力层覆盖所述栅极结构的侧壁；其中，部分所述应力层包括所述栅极结构两侧之外的所述应力层；
以剩余的所述应力层作为掩膜，对所述衬底执行LDD离子注入工艺；
去除剩余的所述应力层。
2.根据权利要求1所述的NMOS器件的制备方法，其特征在于，在形成所述应力层之后，且去除部分所述应力层之前，所述NMOS器件的制备方法还包括：
对所述应力层进行快速热退火工艺，所述快速热退火工艺的温度介于900℃～1050℃，工艺时间介于2s～6s。
3.根据权利要求1所述的NMOS器件的制备方法，其特征在于，所述应力层的厚度介于
4.根据权利要求1所述的NMOS器件的制备方法，其特征在于，所述应力层的材料包括氮化硅。
5.根据权利要求1所述的NMOS器件的制备方法，其特征在于，所述介质层的材料包括二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的NMOS器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除部分所述应力层。
7.根据权利要求1所述的NMOS器件的制备方法，其特征在于，剩余的所述应力层包括栅极结构两侧的所述应力层；并采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除剩余的所述应力层，其中，采用的刻蚀液包括热磷酸。
8.根据权利要求1所述的NMOS器件的制备方法，其特征在于，在去除剩余的所述应力层之后，所述NMOS器件的制备方法还包括：
在所述栅极结构两侧形成侧墙。
9.根据权利要求8所述的NMOS器件的制备方法，其特征在于，所述侧墙包括第一氧化硅层、覆盖在所述第一氧化硅层上的氮化硅层和第二氧化硅层。
10.根据权利要求8所述的NMOS器件的制备方法，其特征在于，在所述栅极结构两侧形成侧墙之后，所述NMOS器件的制备方法还包括：
以所述侧墙为掩膜，所述介质层作为阻挡层，对所述衬底执行离子注入工艺，形成源极和漏极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
