[发明专利]一种提高半导体探测器中子测量效率的结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010338860.1 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111596344A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘建忠;商洁;孔海宇;王龙江;杨凯;林海鹏;杨彪;谷伟刚;冯晓波;安艳龙;席强伟 | 申请（专利权）人： | 中国辐射防护研究院 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 030006 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种提高半导体探测器中子测量效率的结构及其制作方法，结构为，半导体探测器的灵敏区设置有均匀分布的孔洞；所述孔洞中设置有 |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体 探测器 中子 测量 效率 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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