[发明专利]一种提高半导体探测器中子测量效率的结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010338860.1 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111596344A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘建忠;商洁;孔海宇;王龙江;杨凯;林海鹏;杨彪;谷伟刚;冯晓波;安艳龙;席强伟 | 申请（专利权）人： | 中国辐射防护研究院 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 030006 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体 探测器 中子 测量 效率 结构 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高半导体探测器中子测量效率的结构，其特征在于，半导体探测器的灵敏区设置有均匀分布的孔洞；所述孔洞中设置有6LiF柱。
2.如权利要求1所述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，其特征在于，所述6LiF柱的直径不大于20μm。
3.如权利要求2所述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，其特征在于，所述6LiF柱的直径为20μm。
4.如权利要求2所述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，其特征在于，所述6LiF柱的长度比灵敏区厚度少20μm。
5.如权利要求4所述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，其特征在于，所述6LiF柱的长度为280μm。
6.如权利要求2所述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，其特征在于，所述相邻的两个孔洞之间的间距为40μm。
7.如权利要求1-6任一所述的提高半导体探测器中子测量效率的结构，其特征在于，所述孔洞成“井”型均匀分布。
8.一种权利要求1-7任一所述的提高半导体探测器中子测量效率的结构的制作方法，其特征在于，包括：根据预设的尺寸和位置在半导体探测器蚀刻出孔洞，将6LiF粉末灌入所述孔洞。
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