[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010322713.5 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113539794A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李天慧;于星;梁慧 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体基底，形成第一掩膜单元、第二掩膜单元及第三掩膜单元，基述第一掩膜单元与第三掩膜单元对第二掩膜单元进行离子注入，于第二掩膜单元中形成至少一个注入区及至少一个非注入区，以基于经过离子注入后的第二掩膜单元、第一掩膜单元以及第三掩膜单元形成新的刻蚀掩膜层。本发明可以采用曝光‑凝固‑曝光‑刻蚀的工艺与倾斜离子注入的工艺相结合，从而可以简化工艺步骤，节约成本，提高工艺效率。本发明通过正性光刻胶的曝光及负显影方法制作图形，可有效提高的图形精度，为图形特征尺寸的微缩提供有效的保证，整个过程不需要特殊的工艺过程，整体工艺简单、成本低，生产率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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