[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供半导体基底；

于所述半导体基底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括若干个间隔排布的第一掩膜单元及位于相邻第一掩膜单元之间的第一间隙，所述第一间隙显露所述半导体基底；

于所述半导体基底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括若干个间隔排布的第二掩膜单元及位于相邻第二掩膜单元之间的第二间隙，所述第二掩膜单元对应形成于所述第一间隙显露的所述半导体基底上，所述第二间隙显露所述半导体基底，且所述第二掩膜单元的上表面低于所述第一掩膜单元上表面，所述第一掩膜单元穿过对应的所述第二间隙；

于所述第二掩膜层上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层包括若干个间隔排布的第三掩膜单元及位于相邻第三掩膜单元之间的第三间隙，其中，所述第三掩膜单元对应形成于所述第二掩膜单元上，所述第一掩膜单元位于对应的所述第三间隙内；

基于所述第一掩膜单元与所述第三掩膜单元对所述第二掩膜单元进行离子注入，于所述第一掩膜单元与所述第三掩膜单元之间的所述第二掩膜单元中形成至少一个注入区及至少一个非注入区，以基于经过离子注入后的所述第二掩膜单元、所述第一掩膜单元以及所述第三掩膜单元形成新的刻蚀掩膜层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，通过光刻工艺形成所述第一掩膜层及所述第三掩膜层，其中，形成所述第一掩膜层后还包括于所述第一掩膜单元的表面形成阻挡层的步骤。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，通过旋涂工艺形成所述第二掩膜层；所述第二掩膜层的材料包括硅掺杂的抗反射层或氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第三掩膜单元的上表面不低于所述第一掩膜单元的上表面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体基底包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底上的硬掩膜层，形成所述新的刻蚀掩膜层之后还包括将所述新的刻蚀掩膜层上的图案转移至所述硬掩膜层上的步骤。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料与所述第三掩膜层的材料相同，所述第一掩膜层及所述第三掩膜层的材料包括光刻胶。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜单元均匀间隔排布，所述第三掩膜单元均匀间隔排布，且所述第一掩膜单元与所述第三掩膜单元交替间隔排布，所述第一掩膜单元、所述第三掩膜单元及所述未注入区的宽度相等。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一间隙与所述第三间隙的宽度相等，且所述第一掩膜单元位于所述第三间隙的中心。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用正性倾斜离子注入形成所述注入区，并在进行离子注入后去除所述注入区，其中，所述第一掩膜单元、所述未注入区以及所述第三掩膜单元下方对应的所述第二掩膜单元构成所述新的刻蚀掩膜层。

10.根据权利要求1-8中任意一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用负性倾斜离子注入形成所述注入区，并在进行离子注入后去除所述非注入区，其中，并在去除所述非注入区的同时去除所述第一掩膜单元及所述第三掩膜单元下方对应的所述第二掩膜单元，所述注入区构成所述新的刻蚀掩膜层。