[发明专利]一种分段蒸发结晶制备高纯晶体的方法有效
| 申请号： | 202010304147.5 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111514604B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 郭涛;杨波 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | B01D9/02 | 分类号： | B01D9/02 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凯凯;刘芙蓉 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种分段蒸发结晶制备高纯晶体的方法。包括步骤：将不饱和溶液进行蒸发结晶；通过结晶在线监测装置，监测到溶液首批晶核出现时，停止蒸发结晶，得到晶浆1；将晶浆1进行固液分离，得到溶液1和晶体1；将溶液1进行蒸发结晶，直至蒸发结晶停止，得到晶浆2；将晶浆2进行固液分离，得到溶液2和晶体2；将晶体2洗涤，得到纯净晶体。本发明通过在线实时监测蒸发结晶过程的初级爆发成核，利用初级爆发成核富集钙离子等杂质的特性，实现杂质离子的去除。将初级爆发成核得到的晶浆1固液分离后，将分离得到的溶液1进行二次蒸发结晶，得到高纯晶体。利用该方法，可显著降低晶体中钙离子等杂质离子含量，实现高纯晶体的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分段 蒸发 结晶 制备 高纯 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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