[发明专利]有源区、有源区阵列及其形成方法有效
| 申请号： | 202010303689.0 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN113540213B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有源区、有源区阵列及其形成方法，有源区形成于衬底中，有源区中设有字线结构，字线结构沿第一方向贯穿有源区，并将有源区划分为源极区和漏极区，源极区和漏极区沿第二方向排列，且漏极区在第三方向上的尺寸大于源极区在第三方向上的尺寸；其中，第一方向与第二方向之间的夹角为锐角，第三方向垂直于第二方向。通过使有源区中的漏极区在第三方向上的尺寸大于源极区在第三方向上的尺寸，可以在漏极区上设置较大尺寸的接触孔，从而增大漏极区与接触孔之间的接触面积，根据寄生电阻的产生原理可知，增大接触面积可以减小漏极区与接触孔之间的寄生电阻，从而提高动态随机存储器的感应裕度和充放电速度的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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