[发明专利]有源区、有源区阵列及其形成方法

权利要求书

1.一种有源区阵列的形成方法，用于形成有源区阵列，其特征在于，所述形成方法包括：

在衬底表面形成硬掩膜层；

图形化所述硬掩膜层，所述硬掩膜层的图形与待形成的所述有源区阵列的图形相匹配；

通过图形化的所述硬掩膜层蚀刻所述衬底，以定义所述有源区阵列的位置；

根据定义的所述位置在所述衬底中形成所述有源区阵列；

图形化所述硬掩膜层的步骤，包括：

利用第一掩膜版形成初始有源区图形；

利用第二掩膜版对初始有源区图形进行裁剪，以形成第一有源区图形；

利用第三掩膜版对第一有源区图形进行裁剪，以形成第二有源区图形；

其中，第二掩膜版中的裁剪掩膜图形与第三掩膜版中的裁剪掩膜图形的形状和大小均相同，且第二掩膜版中的裁剪掩膜图形与第三掩膜版中的裁剪掩膜图形在衬底上的投影不重合；

有源区阵列包括：多个有源区，多个所述有源区呈阵列式排布；隔离结构，形成于衬底中，用于隔离相邻的所述有源区；

所述有源区中设有字线结构，所述字线结构沿第一方向贯穿所述有源区，并将所述有源区划分为源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区沿第二方向排列，且所述漏极区在第三方向上的尺寸大于所述源极区在所述第三方向上的尺寸，同一行的所述有源区共用一条字线结构，同一列的所述有源区共用一条位线结构；所述第一方向与所述第二方向之间的夹角为锐角，所述第三方向垂直于所述第二方向，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向位于同一平面。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，裁剪掩膜图形包括两个相同的裁剪子图形，裁剪子图形为矩形；两个裁剪子图形沿第一方向相贴合设置，且在第四方向上相互错开，其中，第四方向垂直于第一方向。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过离子注入的方法在衬底中形成目标的有源区阵列。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：

于所述有源区中形成两条贯穿所述有源区的所述字线结构，所述字线结构将所述有源区划分为一个所述漏极区和两个所述源极区，所述源极区和所述漏极区沿所述第二方向以源极区、漏极区、源极区的顺序排列，且所述漏极区在所述第三方向上的尺寸大于每个所述源极区在所述第三方向上的尺寸。

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，两个所述源极区在所述第三方向上的尺寸相同，所述漏极区在所述第三方向上的尺寸为所述源极区在第三方向上的尺寸的M倍,其中，M的取值范围为1.01至1.8。

6.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述有源区具有一对称轴，所述有源区关于所述对称轴呈中心对称，所述对称轴的延伸方向垂直于所述衬底；

两个所述源极区关于所述有源区的对称轴呈中心对称设置。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：

于所述源极区上形成电容孔，所述源极区与电容孔的电极电性连接，所述源极区用于向所述电容孔传输待存储数据或传输从所述电容孔提取的已存储数据；

于所述漏极区上形成接触孔，所述漏极区通过接触孔与位线电性连接，所述漏极区用于传输从所述位线获取所述待存储数据或向所述位线传输提取的所述已存储数据。

8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：

于所述衬底的表面形成存储节点接触，所述存储节点接触与所述有源区的源极区一一对应且电性连接，多个所述存储节点接触之间互相隔离设置。

9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，还包括：

于所述存储节点接触的表面形成连接焊盘，所述存储节点接触和所述连接焊盘电性连接，所述存储节点接触和所述连接焊盘共同用于连通所述源极区和电容孔的电极，所述电容孔与所述源极区一一对应。

10.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，相邻的六个所述电容孔在水平面内呈正六边形排列，所述正六边形的每个顶角均设有一个所述电容孔，所述正六边形的中心设有一个所述电容孔。