[发明专利]有源区、有源区阵列及其形成方法

说明书

本发明涉及一种有源区、有源区阵列及其形成方法，有源区形成于衬底中，有源区中设有字线结构，字线结构沿第一方向贯穿有源区，并将有源区划分为源极区和漏极区，源极区和漏极区沿第二方向排列，且漏极区在第三方向上的尺寸大于源极区在第三方向上的尺寸；其中，第一方向与第二方向之间的夹角为锐角，第三方向垂直于第二方向。通过使有源区中的漏极区在第三方向上的尺寸大于源极区在第三方向上的尺寸，可以在漏极区上设置较大尺寸的接触孔，从而增大漏极区与接触孔之间的接触面积，根据寄生电阻的产生原理可知，增大接触面积可以减小漏极区与接触孔之间的寄生电阻，从而提高动态随机存储器的感应裕度和充放电速度的特性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种有源区、有源区阵列及其形成方法。

背景技术

科学技术的不断发展使人们对半导体技术的要求越来越高，半导体器件的面积不断缩小，因此对半导体的制造工艺和器件性能提出了更高的要求。

半导体存储器是一种利用半导体电路进行存取的存储器,其中，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)以其快速的存储速度和高集成度被广泛应用于各个领域。动态随机存储器包括多个重复的存储单元，随着动态随机存储器的集成度不断提高，位线接触孔与相应有源区的漏极之间的寄生电阻增大，从而降低了动态随机存储器的感应裕度和存储电容的充放电速度。

发明内容

基于此，有必要针对位线接触孔与漏极之间的寄生电阻较大的问题，提供一种有源区、有源区阵列及其形成方法。

一种有源区，形成于衬底中，所述有源区中设有字线结构，所述字线结构沿第一方向贯穿所述有源区，并将所述有源区划分为源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区沿第二方向排列，且所述漏极区在第三方向上的尺寸大于所述源极区在所述第三方向上的尺寸；

其中，所述第一方向与所述第二方向之间的夹角为锐角，所述第三方向垂直于所述第二方向。

在其中一个实施例中，所述有源区中设有两条贯穿所述有源区的所述字线结构，并将所述有源区划分为一个所述漏极区和两个所述源极区，所述源极区和所述漏极区沿所述第二方向以源极区、漏极区、源极区的顺序排列，且所述漏极区在所述第三方向上的尺寸大于每个所述源极区在所述第三方向上的尺寸。

在其中一个实施例中，两个所述源极区在所述第三方向上的尺寸相同，所述漏极区在所述第三方向上的尺寸为所述源极区在第三方向上的尺寸的M倍,其中，M的取值范围为1.01至1.8。

在其中一个实施例中，所述有源区具有一对称轴，所述有源区关于所述对称轴呈中心对称，所述对称轴的延伸方向垂直于所述衬底；

两个所述源极区关于所述有源区的对称轴呈中心对称设置。

在其中一个实施例中，所述源极区与电容孔的电极电性连接，所述源极区用于向所述电容孔传输待存储数据或传输从所述电容孔提取的已存储数据；

所述漏极区通过接触孔与位线电性连接，所述漏极区用于传输从所述位线获取所述待存储数据或向所述位线传输提取的所述已存储数据。

一种有源区阵列，包括：

多个如上述的有源区，多个所述有源区呈阵列式排布，同一行的所述有源区共用一条字线结构，同一列的所述有源区共用一条位线结构；

隔离结构，形成于衬底中，用于隔离相邻的所述有源区。

在其中一个实施例中，所述衬底的表面形成有存储节点接触，所述存储节点接触与所述有源区的源极区一一对应且电性连接，多个所述存储节点接触之间互相隔离设置。

在其中一个实施例中，所述存储节点接触的表面设有连接焊盘，所述存储节点接触和所述连接焊盘电性连接，所述存储节点接触和所述连接焊盘共同用于连通所述源极区和电容孔的电极，所述电容孔与所述源极区一一对应。