[发明专利]一种功率半导体器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，所述器件包括：位于公共衬底之上的第一导电类型的公共外延层，外延层包括多个元胞结构；位于外延层上表面的多个栅极结构和多个源极结构，栅极结构和源极结构间隔排列，且相邻的栅极结构和源极结构之间形成有第一介质层；位于栅极结构、源极结构和第一介质层上的第二介质层；位于第二介质层上且分别贯穿第二介质层的源极和栅极；位于栅极及源极之上的保护层；位于公共衬底下表面的漏极金属层。本发明实施例通过采用多层金属、栅极均匀覆盖金属和栅极下方排布元胞来来提高功率半导体器件的输出功率，增强了器件元胞的开关一致性，进而提高其工作频率及可靠性。