[发明专利]一种功率半导体器件及制作方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：

位于公共衬底之上的第一导电类型的公共外延层，所述外延层包括多个元胞结构，所述元胞结构包括远离所述公共外延层表面的第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区之上的第一导电类型增强源区和第二导电类型增强区；

位于所述外延层上表面的多个栅极结构和多个源极结构，所述栅极结构和所述源极结构间隔排列，且相邻的所述栅极结构和所述源极结构之间形成有第一介质层，其中，所述栅极结构包括栅介质层和位于所述栅介质层上的多晶硅层，所述源极结构包括位于所述元胞结构上表面的源极欧姆接触，及覆盖于所述源极欧姆接触之上的源极金属；

位于所述栅极结构、源极结构和所述第一介质层上的第二介质层；

位于所述第二介质层上且分别贯穿所述第二介质层的栅极和源极，其中，所述栅极与所述多晶硅层连接，所述源极与所述源极金属连接；

位于所述栅极及所述源极之上的保护层；

位于所述公共衬底下表面的漏极金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二导电类型增强区位于2个所述第一导电类型增强源区之间，且所述第二导电类型增强区和所述第一导电类型增强源区相互接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

部分所述源极金属上方的所述第二介质层之上设置有第三介质层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体器件的元胞形状包括条形、正方形、六边形、八边形、圆形或晶格型。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述公共衬底及所述外延层材料包含碳化硅、硅、氮化镓或三氧化二镓。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述源极欧姆接触材质包括钛、镍、钼、钨、铬化镍、硅化铝、碳化钛或钨化钛；

所述源极金属材质包括铝、镍、银、钯或金中的至少一种；

所述栅极金属材质包括铝、镍、银、钯或金中的至少一种；

所述第一、第二和第三介质层材质包括二氧化硅、氮化硅或它们的组合。

7.一种功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在公共衬底上形成第一导电类型公共外延层，在所述外延层中形成多个元胞结构，所述元胞结构中在远离所述外延层表面制备第二导电类型基区，以及在所述第二导电类型基区之上形成第一导电类型增强源区及第二导电类型增强区；

在所述外延层上表面制备多个栅极结构和多个源极结构，所述栅极结构和所述源极结构间隔排列，且在相邻的所述栅极结构和所述源极结构之间形成第一介质层，其中，形成所述栅极结构包括制备栅介质层和在所述栅介质层上制备多晶硅层，形成所述源极结构包括在所述元胞结构上表面制备源极欧姆接触，及在所述源极欧姆接触之上制备源极金属；

在所述栅极结构、所述源极结构和所述第一介质层上形成第二介质层；

在所述第二介质层上制备分别贯穿所述第二介质层的栅极和源极，其中所述栅极与所述多晶硅层连接，所述源极与所述源极金属连接；

在所述栅极及所述源极之上制备保护层；

在所述公共衬底下表面制备漏极金属层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，

在2个所述第一导电类型增强源区之间形成所述第二导电类型增强区，且所述第二导电类型增强区和所述第一导电类型增强源区相互接触。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，

在所述源极金属上方的所述第二介质层及之上形成第三介质层。

10.根据权利要求7至9任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，

所述半导体器件的元胞形状包括条形、正方形、六边形、八边形、圆形或晶格型。