[发明专利]一种干蚀刻气体控制系统在审
申请号: | 202010291585.2 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN113451168A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 林帅;张涛;伍凯义;苏财钰;张嘉修 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 吴志益;朱阳波 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明提供了一种干蚀刻气体控制系统,包括蚀刻腔体,所述蚀刻腔体为密封腔体,所述蚀刻腔体内设置有气体分流盘和晶圆承载盘。所述气体分流盘位于所述蚀刻腔体的上部;所述气体分流盘上设置有多个进气孔,所述进气孔的密度从所述气体分流盘上的中心到边缘分布逐渐变小;所述晶圆承载盘位于所述蚀刻腔体的下部,所述晶圆承载盘设置于所述气体分流盘的对应下方。通过气体分流盘控制蚀刻腔体内蚀刻气体的分布情况,由于气体分流盘上的进气孔并不是均匀分布的,而是从中心到边缘分布逐渐稀疏,使得进入蚀刻腔体的蚀刻气体在中央分布较多而在四周分布较少,在抽气系统的作用下,使得实际接触晶圆的蚀刻气体分布均匀,提升晶圆蚀刻均匀度。 | ||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 气体 控制系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造