[发明专利]一种干蚀刻气体控制系统

说明书

本发明提供了一种干蚀刻气体控制系统，包括蚀刻腔体，所述蚀刻腔体为密封腔体，所述蚀刻腔体内设置有气体分流盘和晶圆承载盘。所述气体分流盘位于所述蚀刻腔体的上部；所述气体分流盘上设置有多个进气孔，所述进气孔的密度从所述气体分流盘上的中心到边缘分布逐渐变小；所述晶圆承载盘位于所述蚀刻腔体的下部，所述晶圆承载盘设置于所述气体分流盘的对应下方。通过气体分流盘控制蚀刻腔体内蚀刻气体的分布情况，由于气体分流盘上的进气孔并不是均匀分布的，而是从中心到边缘分布逐渐稀疏，使得进入蚀刻腔体的蚀刻气体在中央分布较多而在四周分布较少，在抽气系统的作用下，使得实际接触晶圆的蚀刻气体分布均匀，提升晶圆蚀刻均匀度。

技术领域

本发明涉及半导体制备设备领域和发光二极管制备设备领域，涉及一种干蚀刻气体控制系统，尤其涉及一种能够使得蚀刻气体均匀分布、提高蚀刻均匀度的气体蚀刻系统。

背景技术

LED，即发光二极管，通过电子与空穴复合释放能量发光，能够高效地将电能转化为光能，具有众多优点，被认为是下一代进入通用照明领域的新型固态光源。

用于制作LED芯片的晶圆材料包括通过外延生成制得的外延结构，其中，外延结构具体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。在制作LED芯片的过程中，对晶圆材料进行蚀刻是不可或缺的重要步骤，通过蚀刻在第一半导体层、第二半导体层和发光层上形成特定结构，再对应设置电极，从而得到LED芯片。

干蚀刻即气体蚀刻，是业界所广泛采用的蚀刻方式。将晶圆材料放置在蚀刻腔体内，往蚀刻腔体内输入蚀刻气体，通过蚀刻气体即可完成对晶圆材料的蚀刻。然而，现有技术中存在蚀刻气体分布不均的问题，这就会导致处于不同位置上的晶圆材料的蚀刻程度不同，造成蚀刻过度或者蚀刻不足的隐患，严重影响LED芯片的良率。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种干蚀刻气体控制系统，能够保证蚀刻腔体内的蚀刻气体与晶圆均匀接触，从而提升蚀刻均匀度。

本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：

一种干蚀刻气体控制系统，包括蚀刻腔体，所述蚀刻腔体为密封腔体，所述蚀刻腔体内设置有：

气体分流盘，所述气体分流盘位于所述蚀刻腔体的上部；所述气体分流盘上设置有多个进气孔，所述进气孔的密度从所述气体分流盘上的中心到边缘分布逐渐变小；

晶圆承载盘，所述晶圆承载盘用于承载晶圆，所述晶圆承载盘位于所述气体分流盘在所述蚀刻腔体的下部的正投影内。

与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：通过气体分流盘控制蚀刻腔体内蚀刻气体的分布情况，由于气体分流盘上的进气孔并不是均匀分布的，而是从中心到边缘分布逐渐稀疏，使得进入蚀刻腔体的蚀刻气体在中央分布较多而在四周分布较少，在抽气系统的作用下，使得实际接触晶圆的蚀刻气体分布均匀，避免造成蚀刻程度不同，提升晶圆蚀刻均匀度。

进一步地，所述蚀刻腔体上还设置有多个抽气口，多个所述抽气口均匀分布于所述蚀刻腔体的四周。

采用上述方案的有益效果是：多个抽气口均匀分布于蚀刻腔体的四周，通过多个抽气口同时工作，在蚀刻腔体的四周形成均匀的负压，从而将蚀刻气体从蚀刻腔体的中心吸到四周，进一步保证实际接触晶圆的蚀刻气体能够均匀分布。

进一步地，多个所述抽气口包括三个抽气口，所述三个抽气口包括第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口；所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口均匀分布于所述蚀刻腔体的四周侧壁。

采用上述方案的有益效果是：设置有第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口三个抽气口，能够实现蚀刻气体与晶圆均匀接触，同时不会使得系统结构过于复杂，系统结构设置更加合理。

进一步，所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口的水平高度低于所述晶圆承载盘的水平高度。