[发明专利]一种干蚀刻气体控制系统在审
申请号: | 202010291585.2 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN113451168A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 林帅;张涛;伍凯义;苏财钰;张嘉修 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 吴志益;朱阳波 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 气体 控制系统 | ||
1.一种干蚀刻气体控制系统,包括蚀刻腔体,所述蚀刻腔体为密封腔体,其特征在于,所述蚀刻腔体内设置有:
气体分流盘,所述气体分流盘位于所述蚀刻腔体的上部;所述气体分流盘上设置有多个进气孔,所述进气孔的密度从所述气体分流盘上的中心到边缘分布逐渐变小;
晶圆承载盘,所述晶圆承载盘用于承载晶圆,所述晶圆承载盘位于所述气体分流盘在所述蚀刻腔体的下部的正投影内。
2.根据权利要求1所述的一种干蚀刻气体控制系统,其特征在于:所述蚀刻腔体上还设置有多个抽气口,多个所述抽气口均匀分布于所述蚀刻腔体的四周。
3.根据权利要求2所述的一种干蚀刻气体控制系统,其特征在于:多个所述抽气口包括三个抽气口,所述三个抽气口包括第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口;所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口均匀分布于所述蚀刻腔体的四周侧壁。
4.根据权利要求3所述的一种干蚀刻气体控制系统,其特征在于:所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口的水平高度低于所述晶圆承载盘的水平高度。
5.根据权利要求3所述的一种干蚀刻气体控制系统,其特征在于:还包括一缓冲尾腔,所述缓冲尾腔为密封腔体;
所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口分别通过抽气管路与所述缓冲尾腔相连通,所述缓冲尾腔与抽气装置相连通,所述抽气装置用于将所述蚀刻腔体内的蚀刻气体抽出。
6.根据权利要求5所述的一种干蚀刻气体控制系统,其特征在于:所述抽气管路包括第一支路管道、第二支路管道、第三支路管道和主路管道;
所述第一支路管道、所述第二支路管道和所述第三支路管道的一端分别与所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口相连通,所述第一支路管道、所述第二支路管道和所述第三支路管道的另一端与所述主路管道的一端相连通,所述主路管道的另一端与所述抽气装置相连通。
7.根据权利要求6所述的一种干蚀刻气体控制系统,其特征在于:所述抽气管路上设置有压力自动控制阀,所述压力自动控制阀与所述抽气装置电性相连。
8.根据权利要求7所述的一种干蚀刻气体控制系统,其特征在于:所述压力自动控制阀设置于所述主路管道上。
9.根据权利要求1-8任一项所述的一种干蚀刻气体控制系统,其特征在于:所述蚀刻腔体内还设置有:
上电极,所述上电极设置于所述气体分流盘的上方,其中,所述上电极用于电离蚀刻气体中的等离子体;
下电极,所述下电极设置于所述晶圆承载盘的下方,其中,所述下电极用于形成电场,并通过电场对蚀刻气体中的等离子体起到导向作用。
10.根据权利要求1-8任一项所述的一种干蚀刻气体控制系统,其特征在于:所述蚀刻腔体由顶板、底板和侧壁组成,所述顶板和所述底板相对设置,所述侧壁设置于所述顶板和所述底板之间,所述顶板、所述底板和所述侧壁之间的空间形成所述蚀刻腔体;
所述顶板或者所述侧壁上设置有可开闭的取物门;
所述抽气口设置于所述蚀刻腔体的侧壁或者底板上,所述抽气口位于所述晶圆承载盘的垂直投影以外的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造