[发明专利]一种功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010287813.9 | 申请日： | 2020-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN111477527A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 赵发展;卜建辉;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J19/24 | 分类号： | H01J19/24;H01J19/28;H01J19/42;H01J9/02;H01J9/14 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件，包括至少一个真空封装的单元结构；其中，所述单元结构包括：硅衬底以及形成于所述硅衬底上的发射极、光调制极和集电极。一方面，由于整个器件采用统一的硅基工艺制备，解决传统冷阴极场发射的发射极在工艺制备过程中的不一致性的问题，提高器件内部精度和一致性，增强器件的可靠性；另一方面，基于硅基工艺引入了形成在所述硅衬底上的光调制极，增强了发射极的场发射效率，抵消发射极不均匀性造成的发射极尖端与集电极间距的不一致性，增加冷阴极发射电极的工艺冗余度，使得器件不需要完全依靠场发射原理来产生电子，降低场发射的负荷，进一步增强器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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