[发明专利]一种功率器件及其制备方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括至少一个真空封装的单元结构；其中，所述单元结构包括：

硅衬底；

利用硅基工艺形成在所述硅衬底上的发射极；

利用硅基工艺形成在所述硅衬底上的光调制极，所述光调制极用于产生光子以激发所述发射极发射电子；

利用硅基工艺形成在所述硅衬底上的集电极，所述集电极用于激发所述接收所述发射极发射的电子。

2.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述单元结构还包括：

利用硅基工艺形成在所述硅衬底上的栅极，所述栅极用于产生电场以激发所述发射极发射电子。

3.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述光调制极为横向出光的LED结构。

4.如权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述光调制极为紫外LED。

5.如权利要求4所述的功率器件，其特征在于，所述紫外LED包括N型的半导体材料、P型的半导体材料以及所述N型的半导体材料与所述P型的半导体材料形成的谐振腔。

6.如权利要求5所述的功率器件，其特征在于，所述N型的半导体材料和所述P型的半导体材料为氮化镓、铟镓氮或铝镓氮。

7.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述发射极包括硅基微尖结构以及覆盖在所述硅基微尖结构上的金属层。

8.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述真空封装的压力为10^-6Pa～10Pa。

9.如权利要求1-8的任一项所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件包括至少两个所述单元结构，两个所述单元结构沿所述光调制极镜像集成。

10.一种功率器件的制备方法，其特征在于，所述方法用于制备如权利要求1-9的任一项所述的单元结构；所述方法包括：

制备获得硅衬底；

在硅衬底上外延制备光调制极，所述光调制极的负极与所述硅衬底相连，所述光调制极的正极引出作为光调制控制极光调制控制极；

在所述光调制极旁的所述硅衬底上制备发射极；

将已制备的集电极通过硅片键合工艺与所述硅衬底组合，形成单元结构。