[发明专利]一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010283097.7 申请日: 2020-04-01
公开(公告)号: CN111454049B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 吕滨;王鑫源;潘尚可;孙志刚 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H01L31/0264 分类号: H01L31/0264;C04B35/01;C04B35/626
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315211 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法。将含有阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+的硫酸铟溶液置于恒温水浴锅中加热,逐滴加入六亚甲基四胺溶液,滴定结束后陈化得到白色沉淀,沉淀依次进行洗涤、烘干、煅烧,得到氧化铟超细粉末;随后对其预压、冷等静压成型、氧气气氛烧结以及机械加工,得到氧化铟透明半导体陶瓷。优点是:工艺简单,成本较低;以六亚甲基四胺溶液为沉淀剂,并加入阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+,经煅烧获得的氧化铟粉体的烧结活性高,利用该粉体获得的透明陶瓷致密度高,具有较高的应用价值。
搜索关键词: 一种 氧化 透明 半导体 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
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