[发明专利]一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，其具体步骤是：

(1)将阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA-C₆-NH₃⁺溶液滴加到浓度为0.01mol/L～0.2mol/L的硫酸铟母盐溶液中，PCDA-C₆-NH₃⁺与硫酸铟母盐溶液中铟离子的摩尔比为0.001∶1～0.02∶1，不断搅拌，滴加结束后继续搅拌10min；

(2)将配制好的含有阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA-C₆-NH₃⁺的硫酸铟溶液在水浴中加热至75℃～95℃，并向其逐滴滴加六亚甲基四胺(HMTA)溶液，滴加结束后陈化0.5h～24h获得大量白色沉淀，沉淀用去离子水过滤洗涤，再用无水乙醇洗涤后获得白色滤饼，滤饼在烘箱中烘干获得氧化铟前驱体；

(3)将步骤(2)制备的前驱体在氧气气氛下煅烧获得氧化铟超细粉末；

(4)氧化铟粉末依次经预压成型和冷等静压成型，然后在氧气气氛下高温致密化烧结获得氧化铟烧结体；最后对样品进行打磨和抛光获得氧化铟透明半导体陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，其特征是：步骤(1)中，所述硫酸铟母盐溶液是将纯度≥99.95％的硫酸铟直接溶于去离子水中配制而成；所述阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA-C₆-NH₃⁺溶液是将PCDA-C₆-NH₃⁺表面活性剂直接溶于去离子水中配制成浓度为0.3mol/L的溶液。

3.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，其特征是：步骤(2)中，硫酸铟母盐溶液中铟离子与六亚甲基四胺(HMTA)的摩尔比为1∶1～1∶8；所述六亚甲基四胺(HMTA)溶液浓度为0.5mol/L；所述滴加六亚甲基四胺(HMTA)溶液时，六亚甲基四胺(HMTA)溶液的滴加速度为1mL/min～10mL/min。

4.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，其特征是：步骤(2)中，去离子水洗涤次数为1次～8次，乙醇的洗涤次数为1次～5次。

5.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，其特征是：步骤(2)中，烘箱的烘干温度为70℃～90℃。

6.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，其特征是：步骤(3)中，氧化铟前驱体的煅烧温度为900℃～1100℃，煅烧时间为1h～6h。

7.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，其特征是：步骤(4)中，冷等静压成型时，压强为100MPa～400MPa。

8.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，其特征是：步骤(4)中，氧气气氛烧结的条件为：烧结温度1400℃～1700℃，烧结时间2h～24h。