[发明专利]具有多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器在审
| 申请号： | 202010277840.8 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN112397122A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 林纪舜;连存德;柳德铉;谢明辉;林小峰 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种具有多个1晶体管n电阻器(1TnR)结构的电阻式随机存取存储器。在一个方面中，本发明提供一种包括多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器，所述多个1TnR结构包括第一1TnR结构，第一1TnR结构包括：第一晶体管，具有第一栅极端子、第一漏极端子及第一源极端子，第一栅极端子连接到第一字线，第一源极端子连接到源极线，其中源极线连接到所述多个1TnR结构中的每一者；以及第一个并联电阻器群组，包括第一电阻器及第二电阻器，第一电阻器与第二电阻器连接到第一漏极端子且彼此并联连接，其中第一电阻器连接到第一位线，第二电阻器连接到第二位线，且n是大于1的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 tnr 结构 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
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