[发明专利]具有多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器

说明书

本公开涉及一种具有多个1晶体管n电阻器(1TnR)结构的电阻式随机存取存储器。在一个方面中，本发明提供一种包括多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器，所述多个1TnR结构包括第一1TnR结构，第一1TnR结构包括：第一晶体管，具有第一栅极端子、第一漏极端子及第一源极端子，第一栅极端子连接到第一字线，第一源极端子连接到源极线，其中源极线连接到所述多个1TnR结构中的每一者；以及第一个并联电阻器群组，包括第一电阻器及第二电阻器，第一电阻器与第二电阻器连接到第一漏极端子且彼此并联连接，其中第一电阻器连接到第一位线，第二电阻器连接到第二位线，且n是大于1的整数。

技术领域

本公开涉及一种具有多个1TnR(one-transistor n-resistor，1TnR)结构的电阻式随机存取存储器(resistive random-access memory，RRAM)。

背景技术

电阻式随机存取存储器(resistive random-access memory，RRAM)是一种新兴的非易失性存储器技术，所述非易失性存储器技术表现出高的单元密度(cell density)及低的待机功率(standby power)。RRAM芯片通常被用作可被封装成集成电路(integratedcircuit，IC)的非易失性存储器器件(non-volatile storage memory device)。RRAM芯片可为插入到另一电子器件中的独立器件或可移动器件的一部分，或者可为与微处理器、微控制器等一起进行操作的集成电路(IC)的一部分。最近的RRAM架构已采用1晶体管1电阻器(one-transistor-one-resistor，1T1R)架构、1晶体管n电阻器(one-transistor-multiple-resistor，1TnR)架构、或二者的组合，其中n是大于1的整数。为进一步增大RRAM的密度，1TnR阵列的面积可通过改变电路级(circuit level)或器件布局级(devicelayout level)而进一步经历微型化。

发明内容

因此，本公开涉及一种具有多个1TnR构的电阻式随机存取存储器。

在一个方面中，本公开涉及一种包括多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)，所述多个R1TnR结构包括第一1TnR结构，所述第一1TnR结构包括：第一晶体管，包括第一栅极端子、第一漏极端子及第一源极端子，所述第一栅极端子连接到第一字线，所述第一源极端子连接到源极线，其中所述源极线连接到所述多个1TnR结构中的每一者；以及第一n个并联电阻器群组，包括第一电阻器及第二电阻器，所述第一电阻器与所述第二电阻器连接到所述第一漏极端子且彼此并联连接，其中所述第一电阻器连接到第一位线，所述第二电阻器连接到第二位线，且n是大于1的整数。

在一个方面中，本公开涉及一种包括多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)，所述多个1TnR结构包括第一1TnR结构及并联连接到所述第一1TnR结构的第二1TnR结构，其中所述第一1TnR结构包括：第一晶体管，包括第一栅极端子、第一漏极端子及第一源极端子，所述第一栅极端子连接到第一字线，所述第一源极端子连接到源极线，其中所述源极线连接到所述第二1TnR结构；以及第一n个并联电阻器群组，包括第一电阻器及第二电阻器，所述第一电阻器与所述第二电阻器连接到所述第一漏极端子且彼此并联连接，其中所述第一电阻器连接到第一位线，所述第二电阻器连接到第二位线，且n是大于1的整数。

为使本公开的前述特征及优点易于理解，以下详细阐述伴有图的示例性实施例。应理解，以上大体说明及以下详细说明二者均是示例性的，且旨在提供对提出申请的本公开的进一步阐释。

然而应理解，本发明内容可能未包含本公开的所有方面及实施例，且因此不旨在以任何方式进行限制或约束。另外，本公开将包括对所属领域中的技术人员来说显而易见的改进及修改。

附图说明