[发明专利]具有多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器

权利要求书

1.一种包括多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器，所述多个1TnR结构包括第一1TnR结构，所述第一1TnR结构包括：

第一晶体管，包括第一栅极端子、第一漏极端子及第一源极端子，所述第一栅极端子连接到第一字线，所述第一源极端子连接到源极线，其中所述源极线连接到所述多个1TnR结构中的每一者；以及

第一n个并联电阻器群组，包括第一电阻器及第二电阻器，所述第一电阻器与所述第二电阻器连接到所述第一漏极端子且彼此并联连接，其中所述第一电阻器连接到第一位线，所述第二电阻器连接到第二位线，且n是大于1的整数。

2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其中所述多个1TnR结构还包括：

第二晶体管，包括第二栅极端子、第二漏极端子及第二源极端子，所述第二栅极端子连接到第二字线，所述第二源极端子连接到所述源极线；以及

第二n个并联电阻器群组，包括第三电阻器及第四电阻器，所述第三电阻器与所述第四电阻器连接到所述第二漏极端子且彼此并联连接，其中所述第三电阻器连接到所述第一位线，所述第四电阻器连接到所述第二位线，所述第三电阻器与所述第一电阻器共享所述第一位线，且所述第四电阻器与所述第二电阻器共享所述第二位线。

3.根据权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其中所述第一位线及所述第二位线中的每一者连接到第一多路复用器解码器的不同端子，且所述第一位线及所述第二位线中的一者被配置成根据至少所述第一多路复用器解码器的第一组选择信号的组合来被使能。

4.根据权利要求3所述的电阻式随机存取存储器，其中所述第一多路复用器解码器连接到第二多路复用器解码器，所述第二多路复用器解码器亦连接到所述源极线，且所述第一位线及所述第二位线中的一者被配置成还根据所述第二多路复用器解码器的第二组选择信号的组合来被使能。

5.根据权利要求4所述的电阻式随机存取存储器，其中所述第一多路复用器解码器的所述第一组选择信号包括用于对所述第一位线进行使能的第一选择信号及用于对所述第二位线进行使能的第二选择信号。

6.根据权利要求5所述的电阻式随机存取存储器，其中所述第二多路复用器解码器被配置成根据所述第二多路复用器解码器的所述第二组选择信号的所述组合来控制所述第一多路复用器解码器及所述源极线，其中所述第二组选择信号包括位线使能信号及源极线使能信号。

7.根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中通过将所述第一选择信号设定为接通、将所述位线使能信号设定为断开以及将所述源极线使能信号设定为接通来读取所述第一位线。

8.根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中通过将所述第一选择信号设定为接通、将所述位线使能信号设定为接通以及将所述源极线使能信号设定为断开来将所述第一位线设定。

9.根据权利要求6所述的电阻式随机存取存储器，其中通过将所述第一选择信号设定为接通、将所述位线使能信号设定为断开以及将所述源极线使能信号设定为接通来将所述第一位线重置。

10.根据权利要求2所述的电阻式随机存取存储器，其中所述第一晶体管的层低于所述第一电阻器的第一层、所述第二电阻器的第二层、所述第三电阻器的第三层及所述第四电阻器的第四层，其中所述第一层、所述第二层、所述第三层及所述第四层中的任一者位于任何金属层之间。