[发明专利]P型FET及其制造方法有效
| 申请号： | 202010277149.X | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111463285B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 白文琦;王世铭;黄志森;胡展源;李昆鸿 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型FET，晕环注入区包括具有独立调节亚阈值漏电流的第一晕环注入子区和具有独立调节漏端结漏电流的第二晕环注入子区；第一晕环注入子区的结深大于轻掺杂漏区的结深但是小于漏区的结深，第一晕环注入子区横向延伸到对应的轻掺杂漏区的侧面外的沟道区中，第一晕环注入子区将轻掺杂漏区的底部表面和侧面包覆；第二晕环注入子区的结深大于第一晕环注入区的结深，第二晕环注入子区位于轻掺杂漏区的侧面内侧且位于轻掺杂漏区的底部，第二晕环注入子区将对应的源区或漏区的位于轻掺杂漏区底部的侧面包覆。本发明还公开了一种P型FET的制造方法。本发明能同时降低器件的亚阈值漏电流和结漏电流，实现极低漏电。 | ||
| 搜索关键词： | fet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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