[发明专利]P型FET及其制造方法

权利要求书

1.一种P型FET，其特征在于：P型FET包括栅极结构、侧墙、沟道区、P型的轻掺杂漏区、源区、漏区和晕环注入区；

所述栅极结构形成在半导体衬底表面上；

所述轻掺杂漏区自对准形成于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中；

所述侧墙自对准形成于所述栅极结构的两个侧面上；

P+掺杂的源区和漏区形成于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中且所述源区和所述漏区和对应的所述侧墙的侧面自对准；

所述晕环注入区包括具有独立调节亚阈值漏电流的第一晕环注入子区和具有独立调节漏端结漏电流的第二晕环注入子区；

所述第一晕环注入子区的结深大于所述轻掺杂漏区的结深但是小于所述漏区的结深，所述第一晕环注入子区横向延伸到对应的所述轻掺杂漏区的侧面外的沟道区中，所述第一晕环注入子区将所述轻掺杂漏区的底部表面和侧面包覆，所述第一晕环注入子区的掺杂浓度和位于所述轻掺杂漏区外侧的宽度作为调节所述亚阈值漏电流的结构参数；

所述第二晕环注入子区的结深大于所述第一晕环注入子区的结深，所述第二晕环注入子区位于所述轻掺杂漏区的侧面内侧且位于所述轻掺杂漏区的底部，所述第二晕环注入子区将对应的所述源区或所述漏区的位于所述轻掺杂漏区底部的侧面包覆，所述第二晕环注入子区和所述第一晕环注入子区部分交叠，所述第二晕环注入子区的掺杂浓度和所述第二晕环注入子区单独覆盖所述漏区的侧面的深度作为调节所述漏端结漏电流的结构参数。

2.如权利要求1所述的P型FET，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有N型阱，所述P型FET的形成区域位于所述N型阱的形成区域中，所述栅极结构形成在所述N型阱的表面上；N型掺杂的所述沟道区由位于所述轻掺杂漏区之间以及所述源区和漏区之间且被所述栅极结构覆盖的所述N型阱组成，被所述栅极结构覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道。

3.如权利要求2所述的P型FET，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

4.如权利要求1或2或3所述的P型FET，其特征在于：所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和栅极导电材料层。

5.如权利要求4所述的P型FET，其特征在于：所述栅介质层为二氧化硅或者为高介电常数材料。

6.如权利要求4所述的P型FET，其特征在于：所述栅极导电材料层为多晶硅栅或者为金属栅。

7.如权利要求1所述的P型FET，其特征在于：所述晕环注入区通过以所述栅极结构的侧面为自对准边界的大角度离子注入形成，所述晕环注入区的离子注入的注入角度为10°～50°，且所述第一晕环注入子区的离子注入的角度大于所述第二晕环注入子区的离子注入的角度。

8.如权利要求7所述的P型FET，其特征在于：所述晕环注入区的离子注入在所述轻掺杂漏区的离子注入之前或者之后；所述轻掺杂漏区的离子注入中还包括碳的共同离子注入和氟的共同离子注入。

9.如权利要求1或7所述的P型FET，其特征在于：所述第一晕环注入子区的掺杂浓度大于等于所述第二晕环注入子区的掺杂浓度。