[发明专利]半导体结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010276305.0 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111564440A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;高建峰;刘卫兵;孔真真 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体部件；在所述半导体衬底上提供形成接触部或电极的表面；在所述表面上形成接触部或电极；其中，所述接触部或电极由InGaZnO形成。与多晶硅相比，InGaZnO具有更低的电阻率和更高的迁移率。一方面本实施例通过工艺温度低温化形成晶体管内的接触部，可以防止DRAM单元中晶体管的掺杂物扩散和失活，改善短道效应，另一方面本实施例通过工艺温度低温化形成电容器的上电极，减少在电容器的介电层上施加热压，从而可以改善漏电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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