[发明专利]半导体结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体部件；

在所述半导体衬底上提供形成接触部或电极的表面；

在所述表面上形成接触部或电极；

其中，所述接触部或电极由InGaZnO形成。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

所述半导体衬底上形成有源/漏区和栅极；

在所述表面上形成接触部的步骤包括：在源/漏区上形成自对准接触部。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述接触部选自位线节点接触部或存储节点接触部，所述电极为上电极。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述InGaZnO的工艺选自金属有机化学气相沉积工艺或溅射沉积工艺。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述金属有机化学气相沉积工艺的反应物包括Ga前驱体、In前驱体、Zn前驱体或O₃中一种或多种,反应温度为200-400℃。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述Ga前驱体选自(CH₃)₃Ga或(C₂H₅)₃Ga，In前驱体选自(CH₃)₃In或(C₂H₅)₃In，所述Zn前驱体为Zn(C₂H₅)₂。

7.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述溅射沉积工艺条件为：将预设比例In、Ga、Zn作为靶材，并将惰性气体和O₂作为等离子体通入溅射沉积薄膜；或将预设比例的InGaZnO作为靶材，并将惰性气体作为等离子体通入溅射沉积薄膜。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述溅射沉积工艺的反应温度为0-100℃。

9.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述InGaZnO的步骤后还包括：退火处理。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述退火处理的步骤包括：控制退火温度为0-400℃，通入N₂或者O₂。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底形成有半导体部件，所述半导体衬底上具有形成接触部或电极的表面；

接触部或电极，所述接触部或电极形成于所述表面上；

所述接触部或电极由InGaZnO形成。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述接触部选自位线节点接触部或存储节点接触部，所述电极为上电极。

13.根据权利要求11或12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体部件为圆柱形电容器。

14.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

半导体衬底上形成有晶体管，包括栅极和源/漏区；

位于源/漏区上的自对准接触部，所述自对准接触部包括InGaZnO。

15.根据权利要求11-14任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为DRAM。