[发明专利]半导体结构及制备方法

说明书

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体部件；在所述半导体衬底上提供形成接触部或电极的表面；在所述表面上形成接触部或电极；其中，所述接触部或电极由InGaZnO形成。与多晶硅相比，InGaZnO具有更低的电阻率和更高的迁移率。一方面本实施例通过工艺温度低温化形成晶体管内的接触部，可以防止DRAM单元中晶体管的掺杂物扩散和失活，改善短道效应，另一方面本实施例通过工艺温度低温化形成电容器的上电极，减少在电容器的介电层上施加热压，从而可以改善漏电流的问题。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及制备方法。

背景技术

随着半导体制造程序的持续发展，使得半导体装置具有较细微的图案和/或较高的集成度(integration)。在半导体装置内的各种图案之间，通常使用接触部以提供电路装置和/或内连接层之间的电接触。传统接触部通常是P、Si的掺杂层(P-doped poly Si)，具体使用高浓度的P(浓度1E20cm^-3)，通过与多晶硅(poly Si)掺杂(doping)原位(in-situ)沉积形成。而硅源气体需要在450-520℃的情况下用非晶态(amorphous)Si进行蒸镀，后续在大于650℃的温度情况下进行退火(annealing)，最后成为多晶硅(poly Si)来使用。此外，电容器的上电极(Plate poly)通常是B、Si的掺杂层(B-doped poly Si)，具体使用浓度1E21cm^-3的B与多晶硅(poly Si)掺杂(doping)原位(in-situ)沉积形成。而硅源气体需要在400-450℃情况下成长(as-growing)到结晶状态来使用。但是上述工艺存在掺杂物扩散(dopant diffusion)或失去活性(deactivation)的问题，这样一方面会降低晶体管(Transistor)的性能，另一方面会增加向电容器(capacitor)施加的热应力(thermalstress)，导致电介质膜的漏电流(leakage current)。

发明内容

本申请至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本申请提出一种半导体结构及制备方法，提高了晶体管的性能，减少向电容器施加的热应力，改善电介质膜漏电流的问题。

为了实现上述目的，本申请第一方面提供了一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体部件；

在所述半导体衬底上提供形成接触部或电极的表面；

在所述表面上形成接触部或电极；

其中，所述接触部或电极由InGaZnO形成。

本申请第二方面提供了一种半导体结构，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底形成有半导体部件，所述半导体衬底上具有形成接触部或电极的表面；

接触部或电极，所述接触部或电极形成于所述表面上；

所述接触部或电极由InGaZnO形成。

本申请第三方面提供了一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

半导体衬底上形成有晶体管部件，包括栅极和源/漏区；

位于源/漏区上的自对准接触部，该自对准接触部包括InGaZnO。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：