[发明专利]集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010263653.4 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN112071981A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郑圭镐;宋政奎;金润洙;李周浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路器件及其制造方法，其中该集成电路器件包括：包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；在下电极上的电介质层；以及覆盖电介质层的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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