[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；

在所述下电极上的电介质层；以及

覆盖所述电介质层的上电极。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括主下电极层，所述主下电极层包括掺杂有Ti的Nb氮化物层。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：

所述下电极包括主下电极层，所述主下电极层包括含有多种掺杂剂的Nb氮化物层，并且

所述多种掺杂剂包括由Ti形成的第一掺杂剂以及由从钴(Co)、锡(Sn)、钒(V)、钽(Ta)、(Db)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)和铋(Bi)中选择的至少一种形成的第二掺杂剂。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括：

包括掺杂有Ti的Nb氮化物层的主下电极层；以及

在所述主下电极层和所述电介质层之间的下界面电极层，所述下界面电极层包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括：

主下电极层，其与所述电介质层间隔开；以及

在所述主下电极层和所述电介质层之间的下界面电极层，所述下界面电极层包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层。

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中：

所述主下电极层包括TiN层，并且

所述下界面电极层的厚度小于所述主下电极层的厚度。

7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述上电极包括：

主上电极层，其与所述电介质层间隔开；以及

在所述主上电极层和所述电介质层之间的上界面电极层，所述上界面电极层包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括具有不同的Nb原子含量比的多个下电极层，所述多个下电极层中的Nb原子含量比在最靠近所述电介质层的所述下电极层中最大。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括具有不同的Nb原子含量比的多个下电极层，只要距所述电介质层最远的所述下电极层不包含Nb。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：

所述下电极包括：

与所述电介质层间隔开的主下电极层；以及

多界面电极层，包括在所述主下电极层和所述电介质层之间并具有不同的Nb原子含量比的多个下界面电极层，并且

所述多界面电极层包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层，并且

在所述多个下界面电极层中的每个中的Nb原子含量比朝向所述电介质层逐渐增大。

11.一种集成电路器件，包括：

包括有源区的衬底；

在所述有源区上的导电区；以及

在所述导电区上的电容器，所述电容器包括：

包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；

形成在所述下电极上的电介质层；以及

覆盖所述电介质层的上电极。

12.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中：

所述下电极包括主下电极层，所述主下电极层包括掺杂有Ti的Nb氮化物层，并且

所述电介质层包括金属氧化物层。

13.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述下电极包括：

没有Nb的主下电极层；以及

下界面电极层，包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层。