[发明专利]集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010263653.4 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN112071981A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郑圭镐;宋政奎;金润洙;李周浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种集成电路器件及其制造方法，其中该集成电路器件包括：包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；在下电极上的电介质层；以及覆盖电介质层的上电极。
技术领域
实施方式涉及一种集成电路器件及其制造方法。
背景技术
随着集成电路器件按比例缩小，由电容器占据的空间会减小。
发明内容
实施方式针对一种集成电路器件，该集成电路器件包括：下电极，包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层；在下电极上的电介质层；以及覆盖电介质层的上电极。
实施方式还针对一种集成电路器件，该集成电路器件包括：包括有源区的衬底；在有源区上的导电区；以及在导电区上的电容器，该电容器包括：下电极，包括掺杂有Ti的含Nb层；形成在下电极上的电介质层；以及覆盖电介质层的上电极。
实施方式还针对一种集成电路器件，该集成电路器件包括：包括有源区的衬底；形成在有源区上的导电区；以及在导电区上的电容器，该电容器包括：下电极，包括从掺杂有Ti的Nb氮化物层、掺杂有Ti的Nb氧化物层和掺杂有Ti的Nb氮氧化物层中选择的至少一种；电介质层，在下电极上并包括金属氧化物层；以及覆盖电介质层的上电极。
实施方式还针对一种制造集成电路器件的方法，该方法包括：在衬底上形成包括掺杂有Ti的含Nb层的下电极；在下电极上形成电介质层；以及在电介质层上形成上电极。
附图说明
通过参照附图详细描述示例实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显，附图中：
图1示出根据一示例实施方式的集成电路器件的主要配置的截面图；
图2示出根据一示例实施方式的集成电路器件的主要配置的截面图；
图3示出根据一示例实施方式的集成电路器件的主要配置的截面图；
图4示出根据一示例实施方式的集成电路器件的主要配置的截面图；
图5示出根据一示例实施方式的集成电路器件的主要配置的截面图；
图6示出根据一示例实施方式的集成电路器件的主要配置的截面图；
图7示出根据一示例实施方式的集成电路器件的示意性平面布局；
图8A示出根据一示例实施方式的集成电路器件的截面图，图8B是图8A的局部区域Q1的放大截面图；
图9A示出根据一示例实施方式的集成电路器件的截面图，图9B是图9A的局部区域Q2的放大截面图；
图10示出根据一示例实施方式的集成电路器件的截面图；
图11示出根据一示例实施方式的集成电路器件的截面图；
图12示出根据一示例实施方式的集成电路器件的截面图；
图13示出根据一示例实施方式的集成电路器件的截面图；
图14示出根据一示例实施方式的集成电路器件的截面图；
图15是通过与比较例一起评估根据一示例实施方式的集成电路器件的电容器的电容而得到的结果的曲线图；
图16A至图16I示出根据一示例实施方式的制造集成电路器件的方法的工艺的截面图；
图17A至图17E示出根据一示例实施方式的制造集成电路器件的方法的工艺的截面图；以及
图18A和图18B示出根据一示例实施方式的制造集成电路器件的方法的工艺的截面图。
具体实施方式
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