[发明专利]一种制备低介电常数介质层的方法在审
| 申请号： | 202010258522.7 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111446152A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 朱建军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备低介电常数介质层的方法，包括如下步骤：S01：在硅衬底上淀积非晶硅膜，并对所述非晶硅膜进行电化学阳极氧化，形成多孔非晶硅膜；S02：对所述多孔非晶硅膜进行氧化，形成多孔氧化硅膜；S03：对所述多孔氧化硅膜进行疏水化处理，得到低介电常数介质层。本发明提供的一种制备低介电常数介质层的方法，能够得到多孔氧化硅膜，且孔隙率通过工艺可调，从而有效调控介质层的介电常数，同时具有孔隙率可调范围大、孔内表面改性灵活性高、机械强度高、耐温性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 介电常数 介质 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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