[发明专利]一种制备低介电常数介质层的方法

权利要求书

1.一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01：在硅衬底上淀积非晶硅膜，并对所述非晶硅膜进行电化学阳极氧化，形成多孔非晶硅膜；

S02：对所述多孔非晶硅膜进行氧化，形成多孔氧化硅膜；

S03：对所述多孔氧化硅膜进行疏水化处理，得到低介电常数介质层。

2.根据权利要求1所述的一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，所述步骤S01中硅衬底中包括晶体管、电容和电阻。

3.根据权利要求1所述的一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，所述步骤S01中采用等离子体增强化学气相沉积法在硅衬底上沉积200nm-1000nm的非晶硅膜，且沉积温度小于400℃。

4.根据权利要求1所述的一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，所述步骤S01中对非晶硅膜进行电化学阳极处理的具体方法包括：在所述非晶硅膜边缘形成导电层，以所述非晶硅膜为阳极，在HF溶液中进行电化学阳极氧化，形成多孔非晶硅膜。

5.根据权利要求4所述的一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，所述非晶硅膜经过电化学阳极氧化之后，形成2nm-50nm的孔隙，且所述多孔非晶硅膜中孔隙率为60％-90％。

6.根据权利要求4所述的一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，所述导电层为位于所述非晶硅膜边缘的圆环电极，且圆环电极的宽度为3mm-5mm，所述圆环电极为Ti或者TiN或者Al。

7.根据权利要求1所述的一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，所述步骤S02中对多孔非晶硅膜进行氧化的方法为：在25℃下，将所述多孔非晶硅膜置于水中并通入臭氧，形成多孔氧化硅膜。

8.根据权利要求1所述的一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，所述步骤S03中对多孔氧化硅膜进行疏水化处理的方法为：采用六甲基二硅胺烷蒸汽对所述多孔氧化硅膜进行表面处理，使得-CH₃基取代所述多孔氧化硅膜表面-OH基。

9.根据权利要求1所述的一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，所述步骤S03之后还包括步骤S04：在所述低介电常数介质层中刻蚀出线槽或通孔，并在所述线槽或通孔中填充金属，形成低介电常数介质层中的金属互联。

10.根据权利要求9所述的一种制备低介电常数介质层的方法，其特征在于，所述步骤S04在线槽或通孔的底部和侧壁先沉积阻挡层，再沉积金属，形成介质层中的金属互联。