[发明专利]三维存储器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，该制备方法包括提供半导体衬底；于半导体衬底上形成叠层结构，叠层结构中形成有沟道孔；于沟道孔的底部填充第二牺牲层；于填充有第一牺牲层的沟道孔内形成功能侧壁及沟道层；对半导体衬底的远离叠层结构的表面进行减薄处理，以暴露出第二牺牲层；从半导体衬底的远离叠层结构的表面去除第二牺牲层及功能侧壁的底部，以形成凹槽，该凹槽暴露出沟道层的底部；于凹槽中填充底部连接层，该底部连接层与沟道层连通。利用本发明，可以避免在dual stack工艺中，深孔SONO蚀刻时由于上下沟道孔套刻精度窗口偏移时造成上下堆叠结构结合处的功能侧壁的破坏的技术问题。