[发明专利]储存级存储器的双列直插式存储模块装置及访问数据方法在审
| 申请号： | 202010230102.8 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111274162A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 周小锋;左丰国 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/0871 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 关丽丽;郑建晖 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及储存级存储器SCM的双列直插式存储模块DIMM装置及访问数据方法。本发明的装置及读写数据方法能够增加装置的内存空间、提高装置的速率性能、降低印刷电路板设计难度且使主机能够以低的开销访问非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 储存 存储器 双列直插式 存储 模块 装置 访问 数据 方法 | ||
【主权项】：
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