[发明专利]储存级存储器的双列直插式存储模块装置及访问数据方法在审
| 申请号: | 202010230102.8 | 申请日: | 2020-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN111274162A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
| 发明(设计)人: | 周小锋;左丰国 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0871 |
| 代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 关丽丽;郑建晖 |
| 地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 储存 存储器 双列直插式 存储 模块 装置 访问 数据 方法 | ||
1.一种储存级存储器的双列直插式存储模块装置,其特征在于,包括:
第一存储区,所述第一存储区存储具有第一范围主机访问频率的数据;以及
第二存储区,所述第二存储区存储具有第二范围主机访问频率的数据;
其中,所述第一范围主机访问频率大于所述第二范围主机访问频率。
2.根据权利要求1所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置,其特征在于,
所述具有第二范围主机访问频率的数据间接地经由所述第一存储区而被存储在所述第二存储区中。
3.根据权利要求2所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置,其特征在于,
所述第一存储区中包括用于具有第二范围主机访问频率的数据的一预定大小的存储空间。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置,其特征在于,
所述第二存储区包括多个子存储区,所述多个子存储区各自存储具有不同范围的主机访问频率的数据。
5.根据权利要求4所述的储存级存储器的双列直插式存储模块装置,其特征在于,
所述第二存储区包括两个子存储区,所述两个子存储区为:
第一子存储区,所述第一子存储区存储具有第一子范围主机访问频率的数据;
第二子存储区,所述第二子存储区存储具有第二子范围主机访问频率的数据;
其中,所述第一子范围主机访问频率大于所述第二子范围主机访问频率。
6.一种用于储存级存储器的双列直插式存储模块装置的访问数据方法,其特征在于,所述双列直插式存储模块装置包括第一存储区和第二存储区;
所述访问数据方法包括:
将具有第一范围主机访问频率的数据存储在第一存储区;以及
将具有第二范围主机访问频率的数据存储在第二存储区;
其中,所述第一范围主机访问频率大于所述第二范围主机访问频率。
7.根据权利要求6所述的访问数据方法,其特征在于,
所述访问数据方法进一步包括:
将所述具有第二范围主机访问频率的数据间接地经由所述第一存储区存储在所述第二存储区中。
8.根据权利要求7所述的访问数据方法,其特征在于,
所述第一存储区中包括用于具有第二范围主机访问频率的数据的一预定大小的存储空间。
9.根据权利要求6-8中的任一项所述的访问数据方法,其特征在于,所述第二存储区包括多个子存储区;
所述访问数据方法进一步包括:
将具有不同范围的主机访问频率的数据各自存储在所述多个子存储区。
10.根据权利要求9所述的访问数据方法,其特征在于,所述第二存储区包括两个子存储区,所述两个子存储区为第一子存储区和第二存储区;
所述访问数据方法进一步包括:
将具有第一子范围主机访问频率的数据存储在所述第一子存储区中;以及
将具有第二子范围主机访问频率的数据存储在所述第二子存储区中;
其中,所述第一子范围主机访问频率大于所述第二子范围主机访问频率。
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