[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202010227109.4 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111540818A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;黄磊;张威;吴志浩;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、第一透明导电层、第二透明导电层、透明介质层、反射电极、连接电极和DBR层；第一透明导电层和第二透明导电层的材料均为ITO，第二透明导电层中的氧含量小于第一透明导电层中的氧含量；N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有凹槽和隔离槽；第一透明导电层铺设在P型半导体层上，第二透明导电层和透明介质层设置在第一透明导电层上；反射电极铺设在第二透明导电层和透明介质层上，连接电极设置在N型半导体层上；DBR层铺设在凹槽和隔离槽的各个表面上，可提高芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010227109.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
