[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述倒装发光二极管芯片包括衬底(10)、N型半导体层(21)、有源层(22)、P型半导体层(23)、第一透明导电层(31)、第二透明导电层(32)、透明介质层(33)、反射电极(41)、连接电极(42)和分布式布拉格反射层(51)；所述第一透明导电层(31)和所述第二透明导电层(32)的材料均为氧化铟锡，所述第二透明导电层(32)中的氧含量为所述第一透明导电层(31)中的氧含量的1/10～1/8；

所述N型半导体层(21)、所述有源层(22)和所述P型半导体层(23)依次层叠在所述衬底(10)上，所述P型半导体层(23)上设有延伸至所述N型半导体层(21)的凹槽(100)、以及延伸至所述衬底(10)的隔离槽(200)；所述第一透明导电层(31)铺设在所述P型半导体层(23)上，所述第二透明导电层(32)和所述透明介质层(33)设置在所述第一透明导电层(31)的不同区域上；所述反射电极(41)铺设在所述第二透明导电层(32)和所述透明介质层(33)上，所述连接电极(42)设置在所述凹槽(100)内的N型半导体层(21)上；所述分布式布拉格反射层(51)铺设在所述凹槽(100)和所述隔离槽(200)的各个表面上。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第二透明导电层(32)包括依次层叠在所述第一透明导电层(31)上的多个子层(320)，各个所述子层(320)中的氧含量沿所述多个子层(320)的层叠方向逐层减小。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述反射电极(41)包括依次层叠在所述第二透明导电层(32)和所述透明介质层(33)上的反射层(411)和阻挡层(412)，所述反射层(411)为银层，所述阻挡层(412)包括交替层叠的铜镍合金层(412a)和铂金层(412b)。

4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述铜镍合金层(412a)中的铜含量为1％～5％。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述隔离槽(200)的侧面呈台阶状。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述倒装发光二极管芯片还包括钝化层(52)和透明胶体(60)，所述钝化层(52)铺设在所述分布式布拉格反射层(51)上，所述隔离槽(200)的侧面和底面连接处的钝化层(52)上设有凹坑(520)，所述透明胶体(60)铺设在所述隔离槽(200)的各个表面上。

7.一种倒装发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽和延伸至所述衬底的隔离槽；

在所述P型半导体层上依次形成第一透明导电层和第二透明导电层；所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材料均为氧化铟锡，所述第二透明导电层中的氧含量为所述第一透明导电层中的氧含量的1/10～1/8；

在所述第一透明导电层上形成透明介质层，所述透明介质层和所述第二透明导电层设置在所述第一透明导电层的不同区域上；

在所述第二透明导电层和所述透明介质层上形成反射电极；

在所述凹槽内的N型半导体层上形成连接电极；

在所述凹槽和所述隔离槽的各个表面上形成分布式布拉格反射层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型半导体层上依次形成第一透明导电层和第二透明导电层，包括：

在所述P型半导体层上溅射氧化铟锡并在第一气氛中进行快速热退火，形成第一透明导电层；

在所述第一透明导电层的第一区域上溅射氧化铟锡并在第二气氛中进行快速热退火，形成第二透明导电层，所述第二气氛中的氧气流量小于所述第一气氛中的氧气流量。

9.根据权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述分布式布拉格反射层上依次沉积第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层，形成钝化层；

采用光刻技术在所述隔离槽的侧面上形成光刻胶；

湿法腐蚀所述钝化层，所述光刻胶将所述隔离槽的侧面上的钝化层、以及所述隔离槽的侧面和底面连接处的第二氮氧化硅层留下，所述第一氮氧化硅层的腐蚀速率大于所述第二氮氧化硅层的腐蚀速率，所述隔离槽的底面上的钝化层、以及所述隔离槽的侧面和底面连接处的第一氮氧化硅层去除，在所述隔离槽的侧面和底面连接处的钝化层上形成凹坑；

去除所述光刻胶。